（原標(biāo)題：美國(guó)打壓華為，致3nm工藝延期半年？臺(tái)積電否認(rèn)：一切正常）

最近半導(dǎo)體市場(chǎng)上風(fēng)云波詭，美國(guó)封禁華為、全球疫情導(dǎo)致經(jīng)濟(jì)下滑等因素影響著半導(dǎo)體發(fā)展前景，此前有傳聞稱臺(tái)積電因此延期先進(jìn)制程工藝，其中3nm延期了半年到明年Q1季度才試產(chǎn)，不過(guò)官方否認(rèn)了這一消息。

臺(tái)積電3nm是5nm之后的下一代節(jié)點(diǎn)，官方信息顯示3nm工藝晶體管密度達(dá)到了破天荒的2.5億/mm?，而5nm工藝不過(guò)是1.8億/mm2，而3nm性能較5nm提升7%，能耗比提升15%。

工藝上，臺(tái)積電評(píng)估多種選擇后認(rèn)為現(xiàn)行的FinFET工藝在成本及能效上更佳，所以3nm首發(fā)依然會(huì)是FinFET晶體管技術(shù)。

日前有傳聞稱，美國(guó)打壓華為，導(dǎo)致先進(jìn)工藝需求放緩，臺(tái)積電不僅減少了7nm、5nm工藝的產(chǎn)能，同時(shí)3nm工藝也延期2個(gè)季度，到2021年Q3季度才會(huì)風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，整體進(jìn)度也會(huì)因此晚上半年。

不過(guò)臺(tái)積電今天否認(rèn)傳聞，表示一切按照計(jì)劃進(jìn)行，3nm工藝如期在2021年Q1季度試產(chǎn)，2022年下半年正式量產(chǎn)。

作者：憲瑞